umu.sePublikationer
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Resist-free laser patterning of perfluoro-alkyl functionalized fullerene films: attaining pattern and stability by order
Umeå universitet, Teknisk-naturvetenskapliga fakulteten, Institutionen för fysik. (The Organic Photonics and Electronics Group)
Umeå universitet, Teknisk-naturvetenskapliga fakulteten, Institutionen för fysik. (Nanostructured Carbon)
Umeå universitet, Teknisk-naturvetenskapliga fakulteten, Kemiska institutionen. (Department of Chemistry)
Umeå universitet, Teknisk-naturvetenskapliga fakulteten, Institutionen för fysik. (The Organic Photonics and Electronics Group)
2010 (Engelska)Ingår i: Organic electronics, ISSN 1566-1199, E-ISSN 1878-5530, Vol. 11, nr 10, s. 1595-1604Artikel i tidskrift (Refereegranskat) Published
Abstract [en]

We report that it is possible to establish well-defined semiconducting patterns in a perfluoro-alkyl functionalized fullerene (C60-F) film using a straightforward, benign and scalable method. The patterning technique comprises a direct laser light exposure of pre-select film areas, and a subsequent development in a heptane developer solution that selectively removes the non-exposed areas of the film. It is notable that no sacrificial photo-resist material is utilized, and that the remaining patterned C60-F material exhibits high electron mobility (>4 × 10−2 cm2/Vs, as quantified in transistor experiments) and improved ambient stability, both in comparison to the pristine material and to the more commonly utilized fullerene PCBM. We demonstrate that the patterning process has left the remaining C60-F material chemically unaltered, but that its degree of crystallinity has increased. The latter rationalizes the high electron mobility, the improved air stability, and the decreased solubility in the developer solution.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
Elsevier , 2010. Vol. 11, nr 10, s. 1595-1604
Nyckelord [en]
fullerenes, patterning, field-effect transistor, ambient stability, crystallinity, mobility
Nationell ämneskategori
Atom- och molekylfysik och optik
Forskningsämne
fysik
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:umu:diva-35242DOI: 10.1016/j.orgel.2010.07.013ISI: 000281624700001OAI: oai:DiVA.org:umu-35242DiVA, id: diva2:338138
Tillgänglig från: 2010-08-10 Skapad: 2010-08-10 Senast uppdaterad: 2018-06-08Bibliografiskt granskad

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

Förlagets fulltextExtern länk

Personposter BETA

Wang, JiaWågberg, ThomasEliasson, BertilEdman, Ludvig

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Wang, JiaWågberg, ThomasEliasson, BertilEdman, Ludvig
Av organisationen
Institutionen för fysikKemiska institutionen
I samma tidskrift
Organic electronics
Atom- och molekylfysik och optik

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 344 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf