umu.sePublikationer
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Concentration and annealing effects on luminescence properties of ion implanted silica layers
Institute of Physics, University of Rostock, Rostock, Germany.
2011 (Engelska)Ingår i: Journal of Atomic, Molecular, and Optical Physics, ISSN 1687-9228, Vol. 2011, s. 326368-Artikel i tidskrift (Refereegranskat) Published
Abstract [en]

The development of optoelectronic or even photonic devices based on silicon technology is still a great challenge. Silicon and itsoxide do not possess direct optical transitions and, therefore, are not luminescent. The remaining weak light emission is based onintrinsic and extrinsic defect luminescence. Thus the investigations are extended to ion implantation into silica layers, mainly onover-stoichiometric injection or isoelectronic substitution of both the constituents silicon or oxygen, that is, by ions of the groupIV (C, Si, Ge, Sn, Pb) or the group VI (O, S, Se). The samples have been used were 500nm thick thermally grown amorphous SiO2layers, wet oxidized at 1100◦C on a crystalline Si substrate. The ion implantations were performed with different energies but allwith a uniformdose of 5×1016 ions/cm2. Such implantations produce new luminescence bands, partially with electronic-vibronictransitions and related multimodal spectra. Special interest should be directed to lowdimension nanocluster formation in silicalayers. Implantations of group IV elements show a general increase of the luminescence in the violet-blue region and implantationsof group VI elements lead to an increase in the yellow-red spectral region. Comparing cathodoluminescence, photoluminescence,and electroluminescence still too small luminescence quantum yields are obtained.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
Hindawi Publishing Corporation , 2011. Vol. 2011, s. 326368-
Nationell ämneskategori
Atom- och molekylfysik och optik
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:umu:diva-50228DOI: 10.1155/2011/326368OAI: oai:DiVA.org:umu-50228DiVA, id: diva2:460696
Tillgänglig från: 2011-12-01 Skapad: 2011-12-01 Senast uppdaterad: 2018-06-08Bibliografiskt granskad

Open Access i DiVA

fulltext(2189 kB)680 nedladdningar
Filinformation
Filnamn FULLTEXT01.pdfFilstorlek 2189 kBChecksumma SHA-512
32853f21486791fd6466b789cfdbe5a18817c3fd66652c8168dd18dc0a88e09f00c2801968cae6f78aaf6cb32054c55e33b6f30c771b769536661ce5934d5d97
Typ fulltextMimetyp application/pdf

Övriga länkar

Förlagets fulltext

Personposter BETA

Salh, Roushdey

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Salh, Roushdey
Atom- och molekylfysik och optik

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar
Totalt: 680 nedladdningar
Antalet nedladdningar är summan av nedladdningar för alla fulltexter. Det kan inkludera t.ex tidigare versioner som nu inte längre är tillgängliga.

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 369 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf