umu.sePublikationer
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Luminescent properties of GaN films grown on porous silicon substrate
Laboratoires des Mate´riaux Composites, Ce´ramiques et Polymeres, Faculte´ des Sciences de Sfax, Tunisia.
Unite´ physique desmate´riaux isolants et semi isolants, Institut Pre´paratoire aux e´tu des d’Inge´nieurs de Sfax.
Unite´ de recherche sur l’He´te´roe´pitaxie et Applications, Faculte´ des sciences de Monastir 5000, Tunisia.
Institute of Physics, Johannes Gutenberg University-Mainz.
Visa övriga samt affilieringar
2010 (Engelska)Ingår i: Journal of Luminescence, ISSN 0022-2313, E-ISSN 1872-7883, Vol. 130, s. 399-403Artikel i tidskrift (Refereegranskat) Published
Ort, förlag, år, upplaga, sidor
2010. Vol. 130, s. 399-403
Nationell ämneskategori
Fysik
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:umu:diva-50234DOI: 10.1016/j.jlumin.2009.10.003OAI: oai:DiVA.org:umu-50234DiVA, id: diva2:460848
Tillgänglig från: 2011-12-01 Skapad: 2011-12-01 Senast uppdaterad: 2018-06-08Bibliografiskt granskad

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

Förlagets fulltext

Personposter BETA

Salh, Roushdey

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Salh, Roushdey
I samma tidskrift
Journal of Luminescence
Fysik

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 260 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf