umu.sePublikationer
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Electron Beam Induced Defects in Ge-implanted SiO2 Layers
Physics Department, University of Rostock, Universitätsplatz 3, 18051 Rostock, Germany.
2005 (Engelska)Ingår i: Physica Status Solidi. C, Current topics in solid state physics, ISSN 1610-1634, E-ISSN 1610-1642, Vol. 2, s. 580-583Artikel i tidskrift (Refereegranskat) Published
Ort, förlag, år, upplaga, sidor
2005. Vol. 2, s. 580-583
Nationell ämneskategori
Atom- och molekylfysik och optik
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:umu:diva-53999DOI: 10.1002/pssc.200460239OAI: oai:DiVA.org:umu-53999DiVA, id: diva2:514825
Tillgänglig från: 2012-04-11 Skapad: 2012-04-11 Senast uppdaterad: 2018-06-08Bibliografiskt granskad

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

Förlagets fulltext

Personposter BETA

Salh, Roushdey

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Salh, Roushdey
I samma tidskrift
Physica Status Solidi. C, Current topics in solid state physics
Atom- och molekylfysik och optik

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 110 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf