umu.sePublikationer
Ändra sökning
Avgränsa sökresultatet
1 - 2 av 2
RefereraExporteraLänk till träfflistan
Permanent länk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Träffar per sida
  • 5
  • 10
  • 20
  • 50
  • 100
  • 250
Sortering
  • Standard (Relevans)
  • Författare A-Ö
  • Författare Ö-A
  • Titel A-Ö
  • Titel Ö-A
  • Publikationstyp A-Ö
  • Publikationstyp Ö-A
  • Äldst först
  • Nyast först
  • Skapad (Äldst först)
  • Skapad (Nyast först)
  • Senast uppdaterad (Äldst först)
  • Senast uppdaterad (Nyast först)
  • Disputationsdatum (tidigaste först)
  • Disputationsdatum (senaste först)
  • Standard (Relevans)
  • Författare A-Ö
  • Författare Ö-A
  • Titel A-Ö
  • Titel Ö-A
  • Publikationstyp A-Ö
  • Publikationstyp Ö-A
  • Äldst först
  • Nyast först
  • Skapad (Äldst först)
  • Skapad (Nyast först)
  • Senast uppdaterad (Äldst först)
  • Senast uppdaterad (Nyast först)
  • Disputationsdatum (tidigaste först)
  • Disputationsdatum (senaste först)
Markera
Maxantalet träffar du kan exportera från sökgränssnittet är 250. Vid större uttag använd dig av utsökningar.
  • 1. Fitting, H.-J.
    et al.
    Salh, Roushdey
    Institute of Physics, University of Rostock, Universitätsplatz 3, D-18051 Rostock, Germany.
    Schmidt, B.
    Multimodal electronic-vibronic spectra of luminescence in ion-implanted silica layers2007Ingår i: Journal of Luminescence, ISSN 0022-2313, E-ISSN 1872-7883, Vol. 122-123, s. 743-746Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    Thermally oxidized SiO2 layers of 100 and 500 nm thickness have been implanted by oxygen and sulfur ions with a dose of 3×1016 and 5×1016 ions/cm2, respectively, leading to an atomic dopant fraction of about 4 at.% at the half depth of the SiO2 layers. The cathodoluminescence spectra of oxygen and sulfur implanted SiO2 layers show besides characteristic bands a sharp and intensive multimodal structure beginning in the green region at 500 nm over the yellow-red region extending to the near IR measured up to 820 nm. The energy step differences of the sublevels amount on average 120 meV and indicate vibration associated electronic states, probably of O2-interstitial molecules, as we could demonstrate by a respective configuration coordinate model.

  • 2.
    Matoussi, A
    et al.
    Laboratoires des Mate´riaux Composites, Ce´ramiques et Polymeres, Faculte´ des Sciences de Sfax, Tunisia.
    Ben Nasr, F
    Unite´ physique desmate´riaux isolants et semi isolants, Institut Pre´paratoire aux e´tu des d’Inge´nieurs de Sfax.
    Boufaden, T
    Unite´ de recherche sur l’He´te´roe´pitaxie et Applications, Faculte´ des sciences de Monastir 5000, Tunisia.
    Salh, Roushdey
    Institute of Physics, Johannes Gutenberg University-Mainz.
    Fakhfakh, Z
    Laboratoires des Mate´riaux Composites, Ce´ramiques et Polymeres, Faculte´ des Sciences de Sfax, Tunisia.
    Guermazi, S
    Unite´ physique desmate´riaux isolants et semi isolants, Institut Pre´paratoire aux e´tu des d’Inge´nieurs de Sfax.
    ElJani, B
    Unite´ de recherche sur l’He´te´roe´pitaxie et Applications, Faculte´ des sciences de Monastir 5000, Tunisia.
    Fitting, H-J
    Institute of Physics, University of Rostock.
    Luminescent properties of GaN films grown on porous silicon substrate2010Ingår i: Journal of Luminescence, ISSN 0022-2313, E-ISSN 1872-7883, Vol. 130, s. 399-403Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
1 - 2 av 2
RefereraExporteraLänk till träfflistan
Permanent länk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf